编辑：xiaochun 2017-09-21 11:52:14 来源于：快科技
Intel在本周二的精尖制造日活动，谈到了超微缩FinFET的10nm是如何先进，领先友商3年，不过就在昨天（周三），Digitimes从笔记本OEM厂商那里获悉，Intel的Cannon Lake处理器将延期到2018年末。本周对于Intel的10nm先进工艺来说，可谓坐过山车般。
对此，网易报道称，Intel中国区总裁杨旭接受采访时强调，“Intel 10nm在今年第四季度就可以实现投产。”
他同时指出，“我们现在已经有技术验证7nm到5nm都没有问题。而且我们在通过前瞻研究推进5nm以后的，比如3nm、1nm，这些当然就需要很多别的新的技术，英特尔一直在探索。”
不过，资料显示，从物理学的角度，5nm以及之后需要解决绝缘体的问题，目前的14nm/10nm使用的是氮碳化硅硼（SiBCN），7nm使用的是氮碳氧化硅（SiOCN），但用于5nm的终极绝缘体气隙（air gap）连IBM也没搞定。
不过这还是只是一方面，III-V材料、EUV的光源功率等也都个个棘手。1nm都来了！看来pm（皮米）、fm（飞米）也快了。
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