编辑：jiayuan 2018-01-31 11:47:38 来源于：快科技
1月31日消息 据外媒报道，固态技术协会（JEDEC）日前正式发布了Universal Flash Storage （UFS&UFSHCI）v3.0标准（JESD220D、JESD223D）和UFS存储卡v1.1标准（JESD220-2A）。那么，所谓的UFS 3.0标准和UFS 2.1标准有哪些不同呢？让我们来了解一下吧。
据悉，UFS 3.0引入了HS-G4规范，单通道带宽提升到11.6Gbps，是HS-G3（UFS 2.1）性能的2倍。
由于UFS的最大优势就是双通道双向读写，所以接口带宽最高23.2Gbps，也就是2.9GB/s。
互联层设计方面，严格遵守MIPI（移动产业处理器接口）的规范协议，其中物理层依据MIPI M-PHY v4.1，传输层依据MIPI UniProSM v1.8。
其它方面，UFS 3.0支持的分区增多（UFS 2.1是8个），纠错性能提升，电压2.5V，支持最新的NANG Flash闪存介质。面向工业领域如汽车自动驾驶，工作温度零下40摄氏度到高温105摄氏度。
至于UFSHCI v3.0规范则面向主控厂商参考，用于简化通行设计。
至于UFS存储卡v1.1，则实现了对HS-Gear1/2/3的全部兼容，这样存储速度就达到最高1.5GB/s。
值得一提的是，三星此前曾放出消息称，其将在2018年第一季首发推出UFS 3.0接口的产品！从目前已知的情况来看，如果没有意外，三星口中的“UFS 3.0接口产品”应该就是其将于今年2月25日在MWC 2018大会上发布的新旗舰Galaxy S9了。
发表评论
共0条
评论就这些咯，让大家也知道你的独特见解
立即评论以上留言仅代表用户个人观点，不代表系统之家立场