编辑：jiayuan 2018-07-11 10:17:28 来源于：IT之家
7月11日消息 三星电子日前公开宣布，其已开始大规模生产采用“Toggle DDR 4.0”NAND接口的第五代V-NAND闪存芯片。需要注意的是，第五代V-NAND闪存芯片不仅提高了40％的传输速度，电压也从1.8V降至1.2V！感兴趣的朋友不妨来了解一下。
据悉，第五代V-NAND还具有最快的数据写入速度，延迟仅为500微秒，这是在写上一代的速度提高了30%，而响应时间读信号已显着降低到50μS（微秒）。
第五代V-NAND芯片的构建与之前的相似，它配备了90层的3D TLC CTF闪存存储单元。它们堆叠成金字塔状结构，中间有微小孔。这些孔用作通道，尺度仅有几百微米宽，包含超过850亿个CTF单元，每个单元存储多达3比特数据，单Die容量达256Gb（32GB）。
此外，三星方面还表示，其将迅速扩大其第五代V-NAND生产，以满足市场的广泛需求。按照三星官方的说法，第五代V-NAND将应用在如超级计算机、企业服务器和最新的移动应用等高级智能手机方面！此事的后续进展，我们也将继续关注。
发表评论
共0条
评论就这些咯，让大家也知道你的独特见解
立即评论以上留言仅代表用户个人观点，不代表系统之家立场